- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
Delivering the highest-level efficiency at high switching frequencies allowing for system size reduction, power density increases, and high lifetime reliability. Learn more about our …
به خواندن ادامه دهید
عایق پشم معدنی با ورزش بخار آب روی الیاف تهیه شده از سنگ آهک خاک رس دار گداخته و یا سرباره ی ذوب آهن تهیه می شود.برای عایق کاری دمای پائین،پشم معدنی به وسیله ی یک ورقه ی کاغذ قیر اندود پوشیده می ...
به خواندن ادامه دهید
37,300 تومان. موجودی: 0. افزودن به سبد. توجه: حداقل تعداد خرید این محصول 1 عدد می باشد. برند: OTHER پکیج: نواری-متری ابعاد: 100x3. دسته بندی اصلی: الکترونیک جوش و برش. گروه فرعی: متفرقه کاور - هیت سینک ...
به خواندن ادامه دهید
Infineon's innovative OptiMOS™, CoolMOS™, and StrongIRFET™ low and medium voltage power MOSFETs consistently meet the highest quality and performance …
به خواندن ادامه دهید
3 Gate-oxide reliability of industrial SiC MOSFETs – FIT rates and lifetime . 3.1 Introduction to gate oxide reliability for SiC MOSFETs . High numbers of early gate-oxide failures have hampered the commercialization of SiC MOSFETs for many years, and provoked skepticism whether SiC MOS switches would ever be as reliable as their Si counterparts.
به خواندن ادامه دهید
Infineon applied extended reliability tests (beyond standards) and application related tests to test the (new) SiC trench MOSFET. Both static tests also dynamic tests were carried …
به خواندن ادامه دهید
MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) have been meanwhile commonly accepted to be the concept of choice when aiming at reliable SiC …
به خواندن ادامه دهید
<> AN2017-04 Advanced Gate Drive Options for Silicon-Carbide (SiC) MOSFETs using EiceDRIVER™ About this document Scope and purpose This application note discusses the basic parameters of silicon-carbide (SiC) MOSFETs and derives gate drive requirements. The document considers the following EiceDRIVER™ …
به خواندن ادامه دهید
2020.06.29 16:40 by 이수민 기자 [email protected]. [e4ds 인터뷰] "고효율 인버터, IGBT 대신 SiC MOSFET 필요". 실리콘 카바이드, 실리콘보다 고전압에서 동작. SiC MOSFET, 고전압에서 고속 스위칭 가능. 인피니언 SiC MOSFET, 타사 대비 문턱전압 높아. 전력 소비가 늘어나며 소형의 ...
به خواندن ادامه دهید
The results are highest efficiency, higher switching frequencies, less heat dissipation, and space savings – benefits that, in turn, also reduce the overall system cost. We identified this potential almost 30 years ago and established a team of experts in 1992 to develop SiC diodes and transistors for high-power industrial applications.
به خواندن ادامه دهید
عایق‌های حرارتی صنعتی که به آن‌ها عایق نسوز نیز می‌گویند، انواع مختلفی دارند. استفاده از این نوع عایق‌های صوتی و عایق نسوز، می‌تواند تا ۶۰ درصد از هزینه‌های اتلاف انرژی را صرفه‌جویی کند ...
به خواندن ادامه دهید
Infineon is the world's largest manufacturer of power semiconductor components, offering the most comprehensive portfolio of metal-oxide-silicon transistors. With the acquisition of International Rectifier (IRF) in 2015, Infineon has continued to strengthen and expand this portfolio to include all IRF MOSFET products, as well as power MOSFETS, placing us at …
به خواندن ادامه دهید
The CoolSiC 650 V high-performance trench-based power SiC MOSFETs are offered in a very granular portfolio to best suit different target applications. The new family comes in a JEDEC-qualified TOLL package featuring a low parasitic inductance, allowing for higher switching frequency, reduced switching losses, good thermal management, and ...
به خواندن ادامه دهید
Infineon = Toshiba > ON Semi Peak: Toshiba > Infineon = ON Semi Heavy Load: ON Semi > Toshiba > Infineon Peak & Heavy load Part number Vspike S1NH3 69.6V BSC026N08NS5 77.5V NVMFS6H800N 87.3V ＜Voltage spike on secondary side（mearsure waveform）＞ S1NH3 NVMFS6H800N 87.3V 69.6V
به خواندن ادامه دهید
استفاده از عایق حرارتی کافی و مناسب در جدارهٔ خارجی ساختمان اعم از دیوارها سقف و کف و پرهیز از ایجاد پل‌های حرارتی. محافظت از دودکش‌ها و قرار دادن دریچه‌های مناسب جهت پرهیز از اتلاف حرارت ...
به خواندن ادامه دهید
We define its typical value for a CoolSiC™ MOSFET at room temperature and for a gate-source voltage (V GS) of 15 V and at the rated nominal DC current, as …
به خواندن ادامه دهید
CoolSiC™ MOSFET module technology in different packages and topologies. Infineon's range of CoolSiC™ MOSFET power modules open up new opportunities for inverter designers to realize never-before-seen …
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFETの、などのや「.XT」の、をらかにしています。 Infineon CoolSiC MOSFET 1200V M1H レポート ・パッケージ、チップ、パッケージ、SEM-EDX ・SiC MOSFET：、レイアウト ...
به خواندن ادامه دهید
In contrast, SiC MOSFETs require a relatively high driving voltage due to the low charge carrier mobility of the MOS-channel. The reason for the low mobility is the relatively high defect density at the SiC/ gate-oxide interface4; this effect is strongly evident in particular in lateral DMOS designs. For this reason, Infineon Technologies has
به خواندن ادامه دهید
هدایت حرارتی بسیار کم: این خصوصیت، کامپوزیت‌ها را برای استفاده به عنوان عایق حرارتی، مناسب می‌سازد مقاومت ویژه بالا و مدول ویژه بالا : این دو ویژگی، از برجسته‌ترین خصوصیات کامپوزیت‌ها ...
به خواندن ادامه دهید
به همین دلیل است که پشم سنگ به عنوان عایق کندسوز شناخته می‌شود. پشم سنگ علاوه بر عایق حرارتی، عایق صوتی نیز است و می‌توان آن را برای عایق‌کاری به خصوص در مکان‌های شلوغ، به کار برد. از ویژگی ...
به خواندن ادامه دهید
Owing to the superior properties of silicon carbide (SiC), such as higher breakdown voltage, higher thermal conductivity, higher operating frequency, higher operating temperature, and higher saturation …
به خواندن ادامه دهید
Infineon CoolSiC SiC MOSFETs are built on a state-of-the art trench concept that sets a benchmark. This allows for both lowest losses in the application and highest reliability in operation. The temperature-independent low switching losses and a fast, internal free-wheeling diode rated for hard commutation make the CoolSiC MOSFETs in …
به خواندن ادامه دهید
Gate oxide (GOX) requires special attention in SiC MOSFETs SiC has a larger bandgap (1.1 eV Si vs. 3.2 eV SiC) Enhanced tunneling Less relevant for FIT rates under nominal operating conditions SiC has higher blocking capability (0.3 MV/cm Si vs. 3.0 MV/cm SiC) SiC has higher defect density in substrate and in GOX GOX stress induced by V DS in ...
به خواندن ادامه دهید
oScattering of electrons in MOSFET channel àReduction of electron channel mobility (µe,ch) àReduced performance: channel resistance Ý. power losses Ý, channel current ß e-e-e-e-e e-e-e--e-e-e-e-e- e e-2 nm 4H- SiO2 SiC RK 1 K2 Rn+ RKanal Rn+ Metal SiC (p-doped) SiC (n-doped) Silicon dioxide +VG +VDS HRTEM-image of the SiC/SiO2 ...
به خواندن ادامه دهید
عایق‌بندی ساختمان به‌طور کلی به هر چیزی اطلاق می‌شود که برای عایق به هر منظوری استفاده شود. در حالی که بیشتر عایق‌ها در ساختمان به منظور حرارتی است، این عبارت به عایق صوتی و عایق آتش و عایق ...
به خواندن ادامه دهید
2： IM828-XCC 3 3.1 CoolSiCTM MOSFET CoolSiCTM MOSFET 1200 V SiC MOSFET。3 (a) 45 mΩ CoolSiCTM MOSFET - （V GS）15 V-。[3] SiC Si 10 ；
به خواندن ادامه دهید
Infineon's CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H portfolio includes TO247-3 and TO247-4 discrete packages with new ultra-low on-resistances of 7 mΩ, 14 mΩ and 20 mΩ. They are easy to design-in, especially due to the gate voltage overshoots and undershoots with the new maximum gate-source voltage down to -10 V.
به خواندن ادامه دهید