- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
ترانزیستورها از نیمه‌هادی‌های ساخته شده‌اند و براساس ویژگی‌های آنها کار می‌کنند. نیمه‌هادی ماده‌ای است که هادی خالص (مانند سیم مسی) نیست، از طرفی عایق (مانند هوا) هم نیست.
به خواندن ادامه دهید
خلاصه بررسی ترانزیستور تک پیوندی. ترانزیستور تک پیوندی یا به‌اختصار UJT، یک نیمه‌هادی سه سر است که در پالس دریچه‌ای، مدارهای زمان‌بندی و برنامه‌های راه‌انداز ژنراتور برای تغییر و کنترل ...
به خواندن ادامه دهید
با استفاده از mosfet (ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلز - نیمه هادی) ، پایه ای برای بیشتر دروازه های منطقی مدرن. خانواده منطق MOS شامل منطق PMOS ، منطق NMOS ، MOS مکمل (CMOS) و BiCMOS (CMOS دو قطبی) است.
به خواندن ادامه دهید
نمودار I-V خصوصیات و طرح‌های خروجی از JFETنوع n. ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت (به انگلیسی: junction gate field-effect transistor یا JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک ...
به خواندن ادامه دهید
یک TFT اکسیدی از یک ترانزیستور اثر میدان اکسید فلزی (MOSFET) متمایز است که در آن کلمه "اکسید" به دی الکتریک دروازه عایق (معمولا دی اکسید سیلیکون) اشاره دارد. در TFT اکسید، کلمه اکسید به نیمه هادی اشاره ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادیِ اکسید-فلز (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) که به اختصار به آن ماسفت گفته می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
سیلیکون پلی‌کریستالی (یا سیلیکون نیمه کریستالی ، پلی‌سیلیکون ، poly-Si یا به طور ساده شده "poly") ماده‌ای است که از چندین کریستال سیلیکون کوچک تشکیل شده‌است. سلول‌های پلی‌کریستالی را می‌توان ...
به خواندن ادامه دهید
یک نیمه هادی اکسید فلزی مکمل، نوعی فناوری است که برای توسعه مدارهای مجتمع استفاده می شود. چنین فناوری در ساخت تراشه های مدار مجتمع (IC) مانند ریزپردازنده ها، میکروکنترلرها، تراشه های حافظه و ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادیِ اکسید-فلز (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) که به اختصار به آن ماسفت گفته می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
بازدید: ۲۰۸۶. ماسفت‌ها سوییچ های ایده‌آلی هستند که برای کنترل جریان بار یا در مدارات CMOS به کار می‌روند برای اینکه یک ترانزیستور به مثابه یک کلید عمل کند باید یا در ناحیه اشباع (روشن) و یا در ...
به خواندن ادامه دهید
چهار نماد MOSFET در بالا یک ترمینال اضافی به نام Substrate را نشان می دهد و به طور معمول به عنوان یک ورودی یا یک اتصال خروجی استفاده نمی شود، بلکه به جای آن برای زمین بندی بستر استفاده می شود. آن را به کانال نیمه رسانای اصلی از ...
به خواندن ادامه دهید
LEFT: Switching Energy losses at 25 C for 900V, 10 m SiC MOSFET in TO-247-3 package (RGhǘ˂Ǽ GS=-4V/+15V, VDD=600V) RIGHT: Switching Energy losses …
به خواندن ادامه دهید
•Boost-buck at 3.75kW for 30 min - Switching test of 10kV SiC MOSFET at 5kV •Boost input is 1.25kV and output is 5kV. The boost duty is 25% • 30 min thermal run at 5kV and 3.75 …
به خواندن ادامه دهید
ماسفت. ماسفت شامل پایانه‌های گیت (G)، درین (D)، سورس (S) و بدنه (B). بدنه (B) اغلب به سورس وصل می‌شود؛ بنابراین ماسفت در عمل، سه‌پایه دارد. لایهٔ اکسیدِ سیلیسیوم به رنگ روشن در زیر گیت دیده می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
موارد بیشتر برای شما ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی تصویر: نموداری که نشان می دهد یک نانولوله کربنی اساساً گرافنِ پیچیده شده است. ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی (carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET)) یک ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهید
Simultaneously imposed challenges of high-voltage insulation, high dv/dt, high-switching frequency, fast protection, and thermal management associated with the adoption of 10 kV SiC MOSFET, often pose nearly insurmountable barriers to potential users, undoubtedly hindering their penetration in medium-voltage (MV) power …
به خواندن ادامه دهید
در این آموزش با ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا ترانزیستور jfet آشنا می‌شویم. در آموزش مربوط به ترانزیستور پیوندی دوقطبی دیدیم که جریان خروجی کلکتور، متناسب با جریان ورودی گذرنده از بیس است که سبب می‌شود ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهید
در صنعت، بیشتر از ترانزیستورهای نوع npn استفاده می‌شود. تشخیص نام پایه های ترانزیستور BJT هر ترانزیستور سه پایه یا پین دارد: امیتر (E)، بیس (B) و کلکتور (C).
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET)، مقاومت گیت ورودی بسیار بزرگی دارد و جریان گذرنده از کانال بین سورس و درین با ولتاژ گیت کنترل می‌شود. به دلیل امپدانس ورودی و بهره ...
به خواندن ادامه دهید
16 16 18 20 8.1 mm • Very Small Difference in On-Resistance (RDS,on) at 150 C • Enhanced Short Circuit 10 kV SiC MOSFET has Higher Threshold Voltage Measured I-V Characteristics at 150 C of Enhanced Short Circuit Capability and Baseline Gen3 10 kV/350 mOhm SiC MOSFETs 16 18 20 Enhanced Short Circuit Gen3
به خواندن ادامه دهید
مقاومت ثابت چیست؟. مقاومت‌های الکتریکی به دو دسته کلی ثابت ( Fixed Resistors) و متغیر ( Variable Resistors) تقسیم بندی می‌شوند. مقاومت های ثابت تنها دارای یک مقدار مقاومت واحد هستند، برای مثال 100Ω اما مقاومت ...
به خواندن ادامه دهید
به تکنولوژی‌هایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و Mosfet در آن واحد استفاده می‌کنند Bicmos می‌گویند. البته نقطه کار این ترانزیستورها نسبت به دما حساس است وتغییر می‌کند.
به خواندن ادامه دهید
•Boost-buck at 3.75kW for 30 min - Switching test of 10kV SiC MOSFET at 5kV •Boost input is 1.25kV and output is 5kV. The boost duty is 25% • 30 min thermal run at 5kV and 3.75 kW power • sp1 pointer near high side IGBT • Desat-sensing, V ds (on), T mod and I …
به خواندن ادامه دهید
در جلسه‌ی پرسش‌و‌پاسخی که پس از سخنرانی برگزار شد، میبری ادعا کرد تولید انبوه ترانزیستورهای نانوسیم (Nanowire) را تا پنج سال آینده ممکن می‌دادند. پیش‌بینی او به‌نوعی هدفی ملموس برای اینتل و ...
به خواندن ادامه دهید
•Boost-buck at 3.75kW for 30 min - Switching test of 10kV SiC MOSFET at 5kV •Boost input is 1.25kV and output is 5kV. The boost duty is 25% • 30 min thermal run at 5kV and 3.75 kW power • sp1 pointer near high side IGBT • Desat-sensing, V ds (on), T mod and I …
به خواندن ادامه دهید
کشف و دستیابی به قطعات ارزان قیمت نیمه هادی نقطه عطفی در تاریخ منابع تغذیه سوئیچینگ محسوب می شود. این مفهوم از دهه 1930 شناخته شده است، اما در آن زمان منابع تغذیه کمتری با استفاده از تکنیک ...
به خواندن ادامه دهید
در این حالت وقتی به Gate و source ولتاژی بایاس معکوس اعمال کنیم. وضعیت تغییر می کند. اگر ولتاژ اعمالی به Gate و source معکوس باشد یعنی Gate نسبت به S منفی باشد، در این حالت ناحیه تخلیه باز هم بزرگتر می شود و به ازای ولتاژ گرایش معکوس ...
به خواندن ادامه دهید
In [45], a novel 10 kV, 60 A all SiC power module prototype was manufactured using third Generation Wolfspeed 350 mΩ SiC MOSFETs. Pressure-assisted sintering was used for the die atachment in a ...
به خواندن ادامه دهید
HV SiC FETs approaches the SiC limit HV SiC FETs have low condution losses Beware: MV bipolar devices (SiC IGBTS) are even better [Rothmund, IEEE JESTPE, 2018] Side …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور چیست؟ ترانزیستورها قطعات اکتیو سه‌سری هستند که از مواد نیمه‌هادی مختلف ساخته شده‌اند و می‌توانند در کاربردهای ولتاژ سیگنال کوچک به عنوان یک عایق یا یک رسانا عمل کنند. توانایی ترانزیستور در تغییر بین این ...
به خواندن ادامه دهید