- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
۳- ترانزیستور اثر میدانی (fet) ۴- ترانزیستور اثر میدانی (mosfet) ۱- ترانزیستور دوقطبی پیوندی (bjt) در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان به پایه b جریان عبوری از دو پایه c و e کنترل میشود.
به خواندن ادامه دهید
در سال ۱۹۵۹، Dawon Kahng و مارتین M.Atalla در آزمایشگاه‌های بل، فلز اکسید نیمه هادی ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) به عنوان شاخه‌ای به طراحی FET اختراع شد. فهرست مطالب: مقدمه. ساختار ترانزیستور ماسفت
به خواندن ادامه دهید
سیلیسیم [۶] [۷] [۸] (به فرانسوی : Silicium) یا سیلیکن [۹] (به انگلیسی : Silicon ) (long) با نشان شیمیایی Si یک عنصر شیمیایی از خانوادهٔ شبه فلزات است که در گروه چهاردهم و دورهٔ سوم جدول تناوبی عنصرها جای دارد ...
به خواندن ادامه دهید
افزاره مبتنی بر SOI با افزاره‌های معمولی ساخته شده از سیلیکون که در آن اتصال سیلیکون بر روی عایق الکتریکی است، متفاوت است؛ عمدتاً دی‌اکسید سیلیکون یا یاقوت کبود (این نوع از افزاره‌ها سیلیکون ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور تخلیه ای ترانزیستور اثر - میدانی ( جی فت ) ، فت فلز - اکسید ( ماسفت ) ، با فت فلز نیمرسانا ( مسفت ) از نوع در حالت عادی وصل که اگر پتانسیل سورس و گیت آن یکسان و بایاس گیت آن صفر باشد ، هدایت می کند برای افزایش جریان ...
به خواندن ادامه دهید
گالیم آرسنید (GaAs) یک ترکیب از عناصر گالیم و آرسنیک است. این ترکیب یک نیمرسانا بوده و ساختار بلوری آن مشابه سولفید روی است. گالیم آرسنید در تولید افزاره‌هایی مانند مایکروویو ، دیودهای ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی که به اختصار JFET (Junction Field Effect Transistor) نامیده می‌شوند، یک المان نیمه‌رسانای تک قطبی است که دارای سه پایه بوده و با ولتاژ کنترل میشود. این نوع ترانزیستورها به ۲ گروه کانال N و کانال P تقسیم ...
به خواندن ادامه دهید
تأثیر ضخامت ناحیه نانو نوار بر روی مشخصات ترانزیستور اثر میدان مبتنی بر گرافن ... (برای گرافن رشد داده شده بر روی اکسید سیلیکون قابلیت تحرک به 40,000 cm2·V−1·s−1 در دمای اتاق محدود شده است)، در عوض ...
به خواندن ادامه دهید
اکسید گیت یک لایه دی‌الکتریک است که پایه گیت یک ماسفت ( ترانزیستور اثر میدان فلز-اکسید-نیمرسانا) را از پایه‌های سورس و درین زیرین و همچنین کانال رسانا که هنگام روشن بودن ترانزیستور سورس و ...
به خواندن ادامه دهید
در این نوع ترانزیستور اثر میدانی، درین و منبع به شدت دوپ شده از ناحیه n+ و زیرلایه یا بدنه از نوع P هستند. جریان در این نوع ماسفت به دلیل الکترون‌هایی با بار منفی اتفاق می‌افتد.
به خواندن ادامه دهید
الکترونیک. تقویت کننده ماسفت (MOSFET) «ترانزیستور اثر میدان نیمه‌رسانای اکسید فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) یا ماسفت، یک گزینه عالی برای تقویت‌کننده‌های خطی سیگنال کوچک.
به خواندن ادامه دهید
اما چطور می توان از سیلیکون برای ساخت Transistor استفاده کرد؟ ... ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET) متداول ترین و محبوب ترین نوع در بین تمام ترانزیستورها است. ...
به خواندن ادامه دهید
فت دارای سه‌پایه با نام‌های درین D، سورس S و گیت G است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می‌کند. فت‌ها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می‌کند. FETها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان فلز-نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال برای کاربردهای توان و فرکانس بالا
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور های اثر میدان اکسید فلز در دو نوع N-Channel و P-Channel موجود هستند. متداول ترین و محبوب ترین نوع در بین تمام ترانزیستور ها ماسفت ها هستند.
به خواندن ادامه دهید
دروازه های الکترونیکی. یک سیستم منطقی کامل عملکردی ممکن است از رله ها ، سوپاپ ها یا ترانزیستورها تشکیل شده باشد. ساده ترین خانواده گیت های منطقی از ترانزیستور پیوندی دوقطبی (RTL )استفاده شده ...
به خواندن ادامه دهید
اما ترانزیستور اثر میدان (JUGFET یا JFET) پیوند PN ندارد، ولی به جای آن، یک بخش نازک از ماده نیمه‌رسانای با مقاومت بالا دارد که یک کانال نوع N یا نوع P سیلیکون را در هر انتها تشکیل می‌دهد که به ترتیب ...
به خواندن ادامه دهید
انواع ترانزیستورهای فلز – اکسید-نیمه هادی: این ترانزیستورها، بسته به کانالی که در آنها شکل میگیرد، به دو نوع تقسیم می شود: ترانزیستور فلز-اکسید-نیمه هادی با کانال نوع n 1 و كانال نوع p 2. عملکرد ...
به خواندن ادامه دهید
این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی و استفاده از تکنولوژی سیلیسیوم روی عایق در آن می پردازد و در این راستا چندین ساختار نوین برای آنها ارایه می شود.
به خواندن ادامه دهید
برای قرار دادن ترانزیستور در ناحیه فعال معکوس، ولتاژ امیتر باید بزرگ‌تر از ولتاژ بیس و ولتاژ بیس بزرگ‌تر از ولتاژ کلکتور بیشتر باشد (v be <0 و v bc >0).
به خواندن ادامه دهید
طراحی آشکار ساز نور uv با استفاده از تزریق نانوذرات سیلیکون درلایه اکسیدsio2، با استفاده از ساختار فلز- اکسید - نیمه هادی. در این پایان نامه ، ساختار یک آشکارساز نور فرابنفش با استفاده از تزریق ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور تخلیه ای ترانزیستور اثر - میدانی ( جی فت ) ، فت فلز - اکسید ( ماسفت ) ، با فت فلز نیمرسانا ( مسفت ) از نوع در حالت عادی وصل که اگر پتانسیل سورس و گیت آن یکسان و بایاس گیت آن صفر باشد ، هدایت ...
به خواندن ادامه دهید
علاوه بر این، اکثر حفره‌های ایجادشده توسط اثر بدنه شناور، توسط این نواحی تخلیه می‌گردند. نواحی نوع p در اکسید مدفون کمک به کاهش دمای شبکه می‌کنند و راهی برای عبور گرما از قسمت فعال ...
به خواندن ادامه دهید
جریان کلکتور بزرگ‌تر حاصل جریان پایه برای ترانزیستور p-n-p است. ترانزیستور p-n-p دارای ناحیه پایه غیرمعمول گسترده‌ای است، بنابراین بهره آن به‌خصوص در جریان‌های پایین، کم است.
به خواندن ادامه دهید
PDF | در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمههادی در تکنولوژی SOIمعرفی میشود که مشخصات ...
به خواندن ادامه دهید
در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلیسیم در ناحیه گستردگی درین بین درین و کانال و فصل مشترک اکسید گیت ...
به خواندن ادامه دهید
کاربرد ترانزیستور ها. کاربرد ترانزیستور به عنوان سوییچ. کاربرد ترانزیستور به عنوان آمپلی فایر. ترانزیستور را می توان نیمههادی تعریف کرد که عمدتاً از ۳ ترمینال ساخته شده و برای تقویت یا ...
به خواندن ادامه دهید
نوع دیگری از ترانزیستورهای اثر میدان وجود دارد که ورودی گیت آن ها، از نظر الکتریکی نسبت به کانال حامل جریان عایق شده است و به همین دلیل، ترانزیستور اثر میدان با گیت ایزوله شده (Insulated Gate Field Effect Transistor) یا IGDET نامیده می شود.
به خواندن ادامه دهید
Mosfet چیست؟. ۲۶ مهر ۱۳۹۷ مقالات پاورز. ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلزمی باشد. Mosfet مخف (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) ترانزیستور معروف‌ترین اثر میدان در مدارهای آنالوگ و ...
به خواندن ادامه دهید