- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
SiCパワーデバイス. シリコンカーバイド（SiC）デバイス は、シリコン（Si）デバイスとしてオンがく、、、でのがれていることから、のとしていにされています。. SiCデバイスのれたに ...
به خواندن ادامه دهید
Our Silicon Carbide MOSFETs replace silicon devices to enable lower switching and conduction losses with higher blocking voltages and avalanche capability. We established a new benchmark for energy-efficient power switches when we created the industry's first fully-qualified Silicon Carbide MOSFET in 2011, and we have been perfecting the ...
به خواندن ادامه دهید
SCT3080KR 1200V, 31A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET. SCT3080KR is an SiC MOSFET featuring a trench gate structure optimized for server power supplies, solar power inverters, and EV charging stations requiring high efficiency. A new 4-pin package is used that separates the power and driver source terminals, making it …
به خواندن ادامه دهید
انواع ترانزیستور. ترانزیستور اتصال دو قطبی (BJT) ترانزیستور اثر میدان (FET) ترانزیستور اثر میدان پیوندی (JFET) ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلز (MOSFET) مغز ما که برای فکر کردن و به خاطر سپردن از 100 ...
به خواندن ادامه دهید
Evaluation Board HB2637L-EVK-301. The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFETs (SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادیِ اکسید-فلز (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) که به اختصار به آن ماسفت گفته می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
ROHM's BM2SC12xFP2-LBZ power ICs are Quasi-resonant (QR) AC/DC converters with an integrated 1700V SiC MOSFET in a single compact surface mount package (TO263-7L). These ICs are the right fit ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET)، مقاومت گیت ورودی بسیار بزرگی دارد و جریان گذرنده از کانال بین سورس و درین با ولتاژ گیت کنترل می‌شود. به دلیل امپدانس ورودی و بهره ...
به خواندن ادامه دهید
هنگام استفاده از ماسفت یا استفاده از هر ترانزیستور اثر میدان دیگری به عنوان سوییچ، بهتر است که اولویت با انتخاب ماسفت هایی با R DS پایین باشد در ضمن در برخی مواقع استفاده از هیت سینک (Heat Sink) برای ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور چیست؟ انواع ترانزیستور: ترانزیستور به عنوان یک قطعه نیمه هادی تعریف می شود که اساساً با سه پایانه برای تقویت یا سوئیچینگ سیگنال های الکترونیکی و اهداف برق ساخته شده است.به عنوان تقویت کننده، آن ها در سطوح ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدانی به ترانزیستورهای اثر میدان اتصالی (jfet) و ترانزیستورهای اثر میدانی گیت عایق (ig-fet) یا ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی (mosfet) طبقه‌بندی می‌شوند.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور NPN در مداری ساده – ترانزیستور چیست و چگونه کار میکند. با بسته شدن کلید، جریان از سمت منبع و از طریق اتصال Base-Emitter به سمت زمین هدایت می‌شود. با عبور مقدار جریان مشخصی از طریق اتصال P-N ...
به خواندن ادامه دهید
پرکاربرد ترین ترانزیستور اثر میدان با گیت ایزوله شده، ترانزیستور اکسیدفلز نیمه رسانای اثر میدان یا MOSFET می‌باشد . IGFET یا MOSFET توسط ولتاژ کنترل می‌شوند و بر خلاف ترانزیستورهای JFET دارای الکترود ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای سیگنال کوچک تقریباً در همه انواع تجهیزات الکترونیکی استفاده می شوند و هم چنین این ترانزیستورها در چندین کاربرد استفاده می شوند، برخی از آن ها سوئیچ ON یا OFF برای استفاده عمومی ...
به خواندن ادامه دهید
از ترانزیستورها در اندازه‌های کوچک و انواع گسسته، می‌توان برای ساخت سوئیچ‌های الکترونیکی ساده، منطق دیجیتال و مدارهای تقویت‌کننده سیگنال استفاده کرد. هزاران، میلیون‌ها و حتی میلیاردها ترانزیستور در کنار یکدیگر ...
به خواندن ادامه دهید
1 Introduction. Silicon carbide (SiC) power metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) are the centre of attention for medium-voltage wide bandgap (WBG) device development to displace silicon insulated gate bipolar transistors (IGBTs) in recent years because they can enable power converter designs of high frequency, high …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان نوع دیگری از ترانزیستور ها هستند که عموماً به ماسفِت -MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) شناخته می شوند که از پین (pin)، گیت (gate)، سورس (source) و درین (drain) ساخته شده اند.
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFETs. SiC MOSFETs eliminate tail current during switching, resulting in faster operation, reduced switching loss, and increased stabilization. Lower ON resistance and …
به خواندن ادامه دهید
با استفاده از mosfet (ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلز - نیمه هادی) ، پایه ای برای بیشتر دروازه های منطقی مدرن. خانواده منطق MOS شامل منطق PMOS ، منطق NMOS ، MOS مکمل (CMOS) و BiCMOS (CMOS دو قطبی) است.
به خواندن ادامه دهید
در این آموزش با ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا ترانزیستور jfet آشنا می‌شویم. در آموزش مربوط به ترانزیستور پیوندی دوقطبی دیدیم که جریان خروجی کلکتور، متناسب با جریان ورودی گذرنده از بیس است که سبب می‌شود ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهید
در ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم می‌شود: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهید
نکته: چون JFET ها از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال (Gate) استفاده می‌کنند و جریان گذرنده از کانال متناسب با این ولتاژ ، کم و زیاد می شود و همچنین عملکرد FET مبتنی بر یک میدان الکتریکی حاصل از ولتاژ Gate است به آن ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهید
بازدید: ۱۶۴۵. ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی که به اختصار JFET (Junction Field Effect Transistor) نامیده می‌شوند، یک المان نیمه‌رسانای تک قطبی است که دارای سه پایه بوده و با ولتاژ کنترل می‌شود. این نوع ...
به خواندن ادامه دهید
IC Mounted U1,U101 BD7F200EFJ-LB PWM IC ROHM HTSOP-J8 IC Mounted U2,U102 BM61M41RFV-C Driver IC ROHM SSOP-B10W IC Mounted U201 BD450M2WEFJ-CE2 LDO(5V,0.2A) ROHM HTSOP-J8 IC Mounted U51,U151 S-19700A00A-E8 LDO(20V,0.4A) ABLIC HSOP-8A Shunt Regulator Mounted SR51,SR151 TLV431AQDBVRQ1 6V,20mA …
به خواندن ادامه دهید
ロームの4sic mosfet ロームがをしたの 4SiC MOSFET は、をし、トップクラスのオンをしたデバイスであり、ディ …
به خواندن ادامه دهید
Anwendungen. 600 V Nennspannung ermöglicht Betrieb bei über 1000 V. Industrieanlagen. Wechselrichter für Klimaanlagen. Wechselrichter zur Solarstromerzeugung. …
به خواندن ادامه دهید