- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
سخت کاری فلزات به روش کوئنچینگ به این صورت است که. مواد سخت شده، ابتدا در آب تا دمای 300 درجه تا 400 درجه سانتیگراد سرد می شوند و. سریعاً به محیط خنک کننده با شدت کمتر (به عنوان مثال هوا یا روغن ...
به خواندن ادامه دهید
Richardson Electronics will focus on Navitas' world-leading GeneSiC™ power MOSFETs and MPS™ diodes that are rated from 650 V – 6.5 kV. Patented trench-assisted planar-gate technology ...
به خواندن ادامه دهید
덜스, va, 유월 04, 2021 — genesic의 차세대 750v g3r ™ sic mosfet은 전례없는 수준의 성능을 제공합니다., 상대를 능가하는 견고 함과 품질. 시스템 이점에는 작동 온도에서 낮은 온 상태 강하가 포함됩니다., 더 빠른 스위칭 속도, 증가 된 …
به خواندن ادامه دهید
(4) T. Tanioka, et al.: High Performance 4H-SiC MOSFETs with Optimum Design of Active Cell and Re-Oxidation, PCIM Europe 2018, 879-884 (2018) (5) Peters, D., et al.: Investigation of threshold voltage stability of SiC MOSFETs, Proc. of 30th ISPSD, 40-43 (2018) Table 1 Comparison of SW characteristics in planar-gate MOS and MIT2-MOS
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC SiC MOSFETs Gen2 and Gen3 • Wafer and die cost comparisons between 1200V SiC MOSFET devices from different players on the market Discover the cost and technology choices of the first commercially available discrete 3300V SiC MOSFET from GeneSiC. REVERSE COSTING® –STRUCTURE, PROCESS & COST REPORT Title: GeneSiC …
به خواندن ادامه دهید
سدیم سیلیکات در حضور دی‌اکسید کربن سخت می‌شود و برای تولید مغزه‌های ماسه ای در ریخته‌گری فلزات استفاده می‌شود. گچ پاریس و سیمان پرتلند هر دو با واکنش‌های هیدراتاسیون سخت می‌شوند.
به خواندن ادامه دهید
MOSFET SiC e SiC Schottky MPS ™ con robustezza e affidabilità superiori per aumentare la sostenibilità del sistema in ambienti difficili. ... solare; Energia eolica; Sistemi di accumulo di energia (ESS) ALIMENTAZIONE ELETTRICA L'infrastruttura IT è abilitata da SiC Power MOSFET di GeneSiC e SiC Schottky MPS ™ ottimizzati per realizzare ...
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC Semiconductor, a pioneer and global supplier of a broad range of Silicon Carbide (SiC) power semiconductors, today announces the immediate availability of 6.5kV SiC MOSFET bare chips …
به خواندن ادامه دهید
Todos los MOSFET de SiC de GeneSiC Semiconductor están destinados a aplicaciones automotrices (AEC-q101) y compatible con PPAP. G3R60MT07J - 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&comercio MOSFET de SiC. G3R60MT07K - 750 V 60 mΩ TO-247-4 G3R&comercio MOSFET de SiC. G3R60MT07D - 750 V 60 mΩ TO-247-3 …
به خواندن ادامه دهید
In this context, System Plus Consulting presents a technology and cost analysis of two …
به خواندن ادامه دهید
مواد، ابزارها و سیستم‌ها. موادی که در سطح نانو در این فناوری به کار می‌رود، را نانو مواد می‌گویند. مادهٔ نانو ساختار، به هر ماده‌ای که حداقل یکی از ابعاد آن در مقیاس نانومتری (زیر ۱۰۰ ...
به خواندن ادامه دهید
مواد آلي هم با مواد غير آلي (ذرات سنگ، مواد معدني و آب) مخلوط مي شوند تا خاك تشكيل شود. موادی که خاک‌ها را تشکیل می‌دهند به چهار قسمت تقسیم می‌شوند: ♦ مواد سخت موجود در خاک: مواد سخت خاک را ...
به خواندن ادامه دهید
1371: گروهی از دانشمندان در شرکت Mobil Oil مواد کاتالیز شده با مواد نانو را با نام‌های MCM-41 و MCM-48 ساختند که از آنها در صنایع مختلفی همچون نفت و گاز، تصفیه آب، داروسازی و غیره استفاده می‌شود.
به خواندن ادامه دهید
The modules are built upon GeneSiC die that have already made a mark in terms of superior performance, reliability, and ruggedness. Examples include a SiCPAK half-bridge module, rated at 6 mOhm, 1,200 V with industry-leading trench-assisted planar-gate SiC MOSFET technology. Multiple configurations of SiC MOSFETs and MPS diodes will …
به خواندن ادامه دهید
Positions Navitas as the only pure-play, next-generation power semiconductor company. El Segundo, CA., August 15th, 2022 — Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the industry leader in gallium nitride (GaN) power ICs, today announced the acquisition of GeneSiC Semiconductor, a silicon carbide (SiC) pioneer with deep …
به خواندن ادامه دهید
2. SiC Chip Development 2.1 Second-generation planar MOSFETs We have been developing second-generation planar metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) using our newly constructed 6-inch SiC wafer line. For these planar MOSFETs, the MOS cell structure was optimized using JFET doping technology,
به خواندن ادامه دهید
ویسکرزهای SiC که تقریباً تک کریستال هستند، از روش های مختلفی تولید می شوند مثل گرمایش سبوس برنج، واکنش سیلان ها، واکنش سیلیکا و کربن و تصعید پودر SiC. در برخی از روش ها از یک جزء سوم مثل آهن ...
به خواندن ادامه دهید
به این امرکمک میکند.کامپوزیت های زمینه سرامیکی را با روش های پرسکاری گرم ، پرسکاری ایزوستاتیک گرم وزینتر کردن فاز مذاب تولید می کند آلومینا های تقویت شده با ویسکرهای SiC به عنوان ابزار برش در ...
به خواندن ادامه دهید
"With the acquisition of GeneSiC, Navitas has become the industry's only pure-play, next-generation power semiconductor company. GeneSiC is an ideal SiC partner for Navitas with its industry-leading performance, world-class robustness, and the broadest product portfolio in SiC from 650V to 6,500V.
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC's G3R™ SiC MOSFETs feature industry leading performance in high-voltage switching to harness never before seen levels of efficiency, high temperature operation and system reliability. Features: G3R™ …
به خواندن ادامه دهید
Dod-cell and Oct-cell MOSFETs in this work are shown in Figure1c. All MOSFETs have the same edge termination design and die size. The die size is 1.15 1.15 mm2, including the termination. The MOSFETs are fabricated on a 6-inch SiC wafer by X-Fab using the same SiC power MOSFET process. Figure1d shows the cross-sectional …
به خواندن ادامه دهید
GeneSiCのしい3300Vおよび1700VSiC MOSFET, 1000mΩおよび450mΩオプションでSMDおよびスルーホールディスクリートパッケージとして, いレベルとスイッチングをとするシステムけににされてい …
به خواندن ادامه دهید
از این مته برای سوراخ کاری انواع فلزات، چوب‌های سخت و سایر مواد سخت استفاده می‌شود. مته‌های فولاد آلیاژی کبالت: این مته از جنس فولاد ساخته شده و دارای مقدار زیادی کبالت است. این نوع مته در ...
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC's next-generation 650V to 3300V SiC MOSFETs feature superior performance, …
به خواندن ادامه دهید
کانی، یک ماده طبیعی، جامد و غیر آلی با ترکیب شیمیایی مشخص و ساختار اتمی منظم است. اغلب کانی‌ها، به صورت بلوری در طبیعی یافت می‌شوند. این مواد، از پرکاربردترین و ضروری‌ترین مواد مورد استفاده توسط انسان‌ها هستند.
به خواندن ادامه دهید
Tests of circuit efficiency and junction temperatures on a 3.3 kV / 400 A GeneSiC SiC MOSFET, 3.3 kV / 400 A Si IGBT and a series connection of two 1.7 kV / 325 A SiC MOSFETs from a third party in a 4.16 kV modular multi-level converter revealed significant benefits of the 3.3-kV SiC MOSFETs. In general, the 3.3-kV SiC
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC's next-generation 650V to 3300V SiC MOSFETs feature superior performance, ... : GeneSiC Semiconductor Inc. 43670 トレードセンタープレイスストリート. 155 ダレス, VA 20166 ; オフィス : +1 (703) 996-8200 ; ファックス : +1 (703) 665-2347 ;
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC? 650V,SiC, 1200V, 1700V3300V MOSFETMPS, . ... GeneSiCSiCMOSFETSiCMPS™IT,, UPS,,, ...
به خواندن ادامه دهید
ماشین‌کاری (به انگلیسی: Machining) فرایند ساخت و تولید قطعات به روش حذف مواد ناخواسته به شکل براده (Chip) می‌باشد. [۱] مقدار قشری که از قطعه اولیه برداشته می‌شود تا قطعه صیقلی و نهایی ایجاد گردد ...
به خواندن ادامه دهید
یک سطل حاوی ملات سیمانی. سیمان (به فرانسوی: Ciment) ماده‌ای است که روی سطح اجسام جامد اعمال می‌شود تا آنها را محکم به هم بچسباند یا به عبارت دقیق‌تر، ماده پودری است که پس از مخلوط شدن با آب، به ...
به خواندن ادامه دهید