- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
,sic mosfetigbt,。mosfet,rds(on)mosfet,,,sic mosfetigbt。,igbt,vce(sat), …
به خواندن ادامه دهید
mosfet,,sic mosfet。 （115 nH）, …
به خواندن ادامه دهید
موتور الکتریکی یا الکتروموتور ، (به انگلیسی: Electric motor) گونه‌ای ماشین الکتریکی است که انرژی الکتریکی را به انرژی مکانیکی تبدیل می‌کند. اغلب موتورهای الکتریکی از طریق اثر متقابل بین میدان ...
به خواندن ادامه دهید
در رله، این قاب قطعات مختلف را حفاظت می‌کند و آرمیچر یک قسمت متحرک است. یک سیم یا سیم‌پیچ مسی در اطراف یک میله فلزی برق‌دار می‌شود تا یک میدان مغناطیسی ایجاد کند و آرمیچر را حرکت می‌دهد.
به خواندن ادامه دهید
سرامیک (به انگلیسی: Ceramic) یک ماده جامد غیر فلزی غیر آلی است که از ترکیبات فلزی یا غیر فلزی تشکیل شده و با گرم شدن در دمای بالا شکل گرفته و سپس سخت شده‌است. به‌طور کلی، سرامیک‌ها موادی سخت ...
به خواندن ادامه دهید
part. Furthermore, SiC MOSFETs have the benefit of being unipolar devices, and thus enable faster switching than a Si IGBT, and better controllability of switching behavior. This makes the SiC MOSFET a very attractive device. Infineon developed a truly ònormally-off ó SiC MOSFET using trench technology with the trade mark name CoolSiC™ MOSFET.
به خواندن ادامه دهید
ABSTRACT. Due to the wide bandgap and other key materials properties of 4H-SiC, SiC MOSFETs offer performance advantages over competing Si-based power devices. For …
به خواندن ادامه دهید
One of the manufacturers that made its way on to the top of SiC suppliers is without a doubt STMicroelectronics. STMicroelectronics …
به خواندن ادامه دهید
A general review of the critical processing steps for manufacturing SiC MOSFETs, types of SiC MOSFETs, and power applications based on SiC power …
به خواندن ادامه دهید
Our range of CoolSiC™ MOSFETs includes Silicon Carbide MOSFET discretes and Silicon Carbide MOSFET modules. The SiC MOSFET power modules come in 3-level, fourpack, …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET)، مقاومت گیت ورودی بسیار بزرگی دارد و جریان گذرنده از کانال بین سورس و درین با ولتاژ گیت کنترل می‌شود. به دلیل امپدانس ورودی و بهره ...
به خواندن ادامه دهید
のSiCをしたMOSFETは、のシリコン (Si) とべてスイッチング (、ゲートなど)とオンをしています。. そのため、の、のにできます。. シリコンカーバイド (SiC ...
به خواندن ادامه دهید
ویسکرزهای SiC که تقریباً تک کریستال هستند، از روش های مختلفی تولید می شوند مثل گرمایش سبوس برنج، واکنش سیلان ها، واکنش سیلیکا و کربن و تصعید پودر SiC. در برخی از روش ها از یک جزء سوم مثل آهن ...
به خواندن ادامه دهید
Owing to the superior properties of silicon carbide (SiC), such as higher breakdown voltage, higher thermal conductivity, higher operating frequency, higher operating temperature, and higher saturation drift velocity, SiC has attracted much attention from researchers and the industry for decades. With the advances in material science …
به خواندن ادامه دهید
rohm طراحی مبدل ac/dc با راندمان بالا با استفاده از ماسفت sic، آخرین اخبار در زمینه قطعات الکترونیکی English Norsk
به خواندن ادامه دهید
The NTH4L015N065SC1 SiC MOSFET device offers superior dynamic and thermal performance with stable operation at high junction temperatures. The competitive features offered by the 650V NTH4L015N065SC1 device compared to SiC MOSFET in the same range are as follows: Lowest ON resistance: Typical RDS (on) = 12 m @ VGS = …
به خواندن ادامه دهید
How to Drive SiC MOSFETS. With the superior material properties in mind the question poses how these parts have to be controlled on to work at their very best. Starting from things we know, Si MOSFETs …
به خواندن ادامه دهید
As an alternative to traditional silicon MOSFETs, silicon carbide MOSFETs offer the advantages of higher blocking voltage, lower on-state resistance, and higher thermal conductivity...
به خواندن ادامه دهید
1 Introduction. Silicon carbide (SiC) metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) have undergone a great development over the past few years, and their level of maturity is now sufficient for product development of converters for various applications [] ranging from motor drives for different kinds of vehicles [] to various …
به خواندن ادامه دهید
In this article, a discussion is given about testing and related results of Silicon-carbide power MOSFETs for automotive applications. It reports mainly about trends, testing for wear of components, and testing for abnormal conditions. In summary, the main challenges are related to the cost of raw material, stable high-temperature operation, and …
به خواندن ادامه دهید
One of the issues of SiC MOSFET is the reliability of its intrinsic body diode when used as a free-wheeling diode (FWD). The reverse current through the SiC MOSFET may cause 4 â á degradation over time. A new structure of a SBD-embedded MOSFET has been proposed that prevents the current conduction through its intrinsic body diode.
به خواندن ادامه دهید
Based on volume experience and compatibility know-how, Infineon introduces the revolutionary CoolSiC™ MOSFET technology which enables radically new product designs. In comparison to traditional Silicon-based …
به خواندن ادامه دهید
با توجه به نوع کانال n-ch، جریان از سرعت بالا سوئیچینگ از آن استفاده می‌کند. کاربرد ترانزیستورماسفتN-CH 60V 50A 50N06: منابع تغذیه قدرت: این ترانزیستور می‌تواند در منابع تغذیه قدرت با ولتاژ 60 ولت و ...
به خواندن ادامه دهید
This article features Littelfuse Inc. SiC MOSFET device evolution, technology merit, and commercial success and substantial role for green energy movement. State of …
به خواندن ادامه دهید
MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) have been meanwhile commonly accepted to be the concept of choice when aiming at reliable SiC …
به خواندن ادامه دهید
ریخته‌گری گریز از مرکز (به انگلیسی: Centrifugal Casting) یکی از روش‌های معمول در تولید لوله‌های فلزی است. در این روش از یک قالب چرخنده برای شکل‌دهی استفاده می‌شود. اغلب پروفیل لوله‌ها و به‌طور کلی ...
به خواندن ادامه دهید
2020.06.29 16:40 by 이수민 기자 [email protected]. [e4ds 인터뷰] "고효율 인버터, IGBT 대신 SiC MOSFET 필요". 실리콘 카바이드, 실리콘보다 고전압에서 동작. SiC MOSFET, 고전압에서 고속 스위칭 가능. 인피니언 SiC MOSFET, 타사 대비 문턱전압 높아. 전력 소비가 늘어나며 소형의 ...
به خواندن ادامه دهید
A split-gate SiC trench MOSFET with a P-poly/SiC hetero-junction diode has been proposed for optimized reverse recovery characteristics and low switching loss [17]. Furthermore, SiC MOSFET with integrated n-/n-type poly-Si/SiC heterojunction freewheeling diode has been proposed, offering a lower V f, but at the cost of BV [18]. In this paper, a ...
به خواندن ادامه دهید